Spoločnosť Samsung Electronics, svetový líder v oblasti pokročilých pamäťových technológií, oznámila hromadnú výrobu 250GB SATA SSD diskov založených na 256-gigabitových moduloch V-NAND šiestej generácie s viac ako 100 vrstvami 3-bitových buniek, ktoré budú dodávané svetovým výrobcom PC. Vývoj novej generácie V-NAND trval spoločnosti Samsung iba 13 mesiacov, čím sa výrobný cyklus skrátil o štyri mesiace a zároveň sa dodali najvýkonnejšie, energeticky najúčinnejšie a najjednoduchšie vyrábané moduly.
Moduly V-NAND šiestej generácie spoločnosti Samsung sa môžu pochváliť najvyššími rýchlosťami prenosu dát v odvetví, čo dokazuje výrobnú výhodu, ktorá posúva 3D pamäť na novú úroveň. Vďaka jedinečnej technológii leptania kanálov spoločnosti Samsung majú nové čipy V-NAND približne o 40 % viac buniek ako jednovrstvové 9x pamäťové moduly predchádzajúcej generácie. Dosiahne sa to vytvorením elektricky vodivej 136-vrstvovej štruktúry, po ktorej nasleduje vertikálne prepichovanie valcovitých otvorov zhora nadol, čo vedie k homogénnym 3D bunkám s technológiou nábojovej pasce CTF .
S rastúcou výškou matrice v každej bunke sú čipy NAND flash náchylnejšie na chyby a oneskorenia pri čítaní. Na prekonanie tohto obmedzenia spoločnosť Samsung implementovala návrh obvodu s optimalizovanou rýchlosťou, ktorý dosahuje maximálnu prenosovú rýchlosť menej ako 450 mikrosekúnd µs pri operáciách zápisu a menej ako 45 µs pri operáciách čítania. V porovnaní s predchádzajúcou generáciou ponúka nový dizajn o viac ako 10 % vyšší výkon a o viac ako 15 % nižšiu spotrebu energie.
Optimalizovaný dizajn umožňuje riešeniam V-NAND novej generácie poskytovať viac ako 300 vrstiev, kombinovať tri bunky šiestej generácie bez toho, aby sa znížil výkon alebo spoľahlivosť čipu. Okrem toho si 256GB čip novej generácie vyžaduje len 670 miliónov priechodiek, čo je menej ako 930 miliónov v predchádzajúcej generácii. Tým sa zmenšila veľkosť čipu a počet výrobných krokov, čím sa zvýšila efektívnosť výroby o 20 %.
Pomocou vysokorýchlostných funkcií s nízkou spotrebou chce spoločnosť Samsung nielen rozšíriť využitie svojich riešení 3D V-NAND do zariadení, ako sú mobilné miniaplikácie a podnikové servery, ale aj preniesť ich na automobilový trh, kde je kľúčová vysoká spoľahlivosť.
„Začlenením pokročilej technológie 3D pamäte do sériovo vyrábaných modelov sme schopní predstaviť pamäťové linky s výrazne vyššou rýchlosťou a spotrebou energie,“ povedal Kye Hyun Kyung, viceprezident pre flash pamäte a technológie v spoločnosti Samsung Electronics. – Skrátením vývojového cyklu pre produkty V-NAND novej generácie očakávame, že sa nám podarí agresívne rozšíriť trh s našimi vysokorýchlostnými a vysoko výkonnými 512-gigabitovými riešeniami V-NAND.
Spoločnosť Samsung plánuje v druhej polovici roka uviesť na trh 512-gigabajtové SSD s trojitou V-NAND a eUFS, ktoré budú nasledovať po uvedení 250-gigabajtového SSD. Spoločnosť tiež plánuje od budúceho roka rozšíriť výrobu svojho výkonného, vysokorýchlostného riešenia V-NAND šiestej generácie vo svojom závode v kórejskom Pyeongtaeku.
Zaujímalo by ma, aké sú hlavné vylepšenia a výhody 3D SSD disku V-NAND šiestej generácie od spoločnosti Samsung oproti predchádzajúcim generáciám. Sú tieto disky rýchlejšie a spoľahlivejšie? A aké sú ich kapacity? Ďakujem za odpoveď.
Ahoj! Nový 3D SSD disk V-NAND šiestej generácie od spoločnosti Samsung znie skutočne zaujímavo. Máte nejaké bližšie informácie o jeho špecifikáciách a vylepšeniach oproti predchádzajúcim generáciám? Ak áno, prosím, neváhajte a podelte sa s nami! Ďakujem!